Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | XP65AN1K2IT |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | YAGEO XSEMI |
| Описание ： | MOSFET N-CH 650 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 14000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$2.8785
$2.8785
50
$2.2826
$114.1300
100
$1.9594
$195.9400
500
$1.7372
$868.6000
1000
$1.4948
$1,494.8000
2000
$1.4039
$2,807.8000
5000
$1.3433
$6,716.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | YAGEO XSEMI |
| Ряд | XP65AN1K2 |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 Full Pack |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 7A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 3.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220CFM |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±30V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 44.8 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2048 pF @ 100 V |
