Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | XP10NA011J |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | YAGEO XSEMI |
| Описание ： | MOSFET N-CH 100 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 14000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$3.1007
$3.1007
80
$2.1109
$168.8720
560
$1.8786
$1,052.0160
1040
$1.6059
$1,670.1360
2000
$1.5150
$3,030.0000
5040
$1.4544
$7,330.1760
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | YAGEO XSEMI |
| Ряд | XS10NA011 |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 48.5A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.13W (Ta), 50W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-251S |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 6V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2288 pF @ 80 V |
