Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Память>W987D2HBJX7E TR
  • image of Память>W987D2HBJX7E TR
Тип  W987D2HBJX7E TR
Классификация Память
Производитель Winbond Electronics Corporation
Описание  IC DRAM 128MBIT
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
image of Память>5155031
5155031
Тип 
5155031
Классификация
Память
Производитель
Winbond Electronics Corporation
Описание 
IC DRAM 128MBIT
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительWinbond Electronics Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс90-TFBGA
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти128Mbit
Тип памятиVolatile
Рабочая Температура-25°C ~ 85°C (TC)
Напряжение питания1.7V ~ 1.95V
ТехнологииSDRAM - Mobile LPSDR
Тактовая частота133 MHz
Формат памятиDRAM
Пакет устройств поставщика90-VFBGA (8x13)
Время цикла записи — Word, Page15ns
Интерфейс памятиParallel
Время доступа5.4 ns
Организация памяти4M x 32
Программируемый DigiKeyNot Verified
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0