Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | UNR211M00L |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Производитель： | Panasonic Electronic Components |
| Описание ： | TRANS PREBIAS P |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Разрезанная лента (CT) |
| Количество ： | 15671 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.1717
$0.1717
10
$0.1111
$1.1110
100
$0.0808
$8.0800
500
$0.0707
$35.3500
1000
$0.0606
$60.6000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Panasonic Electronic Components |
| Ряд | - |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Пакет устройств поставщика | Mini3-G1 |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V |
| Мощность - Макс. | 200 mW |
| Частота – переход | 80 MHz |
| Резистор — база (R1) | 2.2 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 kOhms |
