Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>UMY1NTR
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>UMY1NTR
Тип  UMY1NTR
Классификация Биполярные транзисторные матрицы
Производитель ROHM Semiconductor
Описание  TRANS NPN/PNP 5
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  18540
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.0808
Параметры продукции : 18540
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.4646

$0.4646

10

$0.3232

$3.2320

100

$0.1616

$16.1600

500

$0.1313

$65.6500

1000

$0.1010

$101.0000

3000

$0.0808

$242.4000

6000

$0.0808

$484.8000

9000

$0.0707

$636.3000

30000

$0.0707

$2,121.0000

75000

$0.0606

$4,545.0000

150000

$0.0505

$7,575.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы>659294
659294
Тип 
659294
Классификация
Биполярные транзисторные матрицы
Производитель
ROHM Semiconductor
Описание 
TRANS NPN/PNP 5
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
12040
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
PDF(6)
PDF(7)
PDF(8)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Рабочая Температура150°C (TJ)
Мощность - Макс.150mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)150mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Частота – переход180MHz, 140MHz
Пакет устройств поставщикаUMT5
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0