Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TP44100SG |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Tagore Technology |
| Описание ： | GAN FET HEMT 65 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 15969 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$5.5550
$5.5550
10
$4.7975
$47.9750
100
$4.1713
$417.1300
500
$3.3330
$1,666.5000
3000
$3.3330
$9,999.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Tagore Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 22-PowerVFQFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 19A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 11mA |
| Пакет устройств поставщика | 22-QFN (5x7) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 0V, 6V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3 nC @ 6 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 110 pF @ 400 V |
