Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Память>TH58BVG3S0HBAI4
  • image of Память>TH58BVG3S0HBAI4
Тип  TH58BVG3S0HBAI4
Классификация Память
Производитель Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Описание  8GB SLC BENAND
Упаковка -
Упаковка Поднос
Количество  13210
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $8.7163
Параметры продукции : 13210
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$11.6554

$11.6554

10

$10.5242

$105.2420

25

$10.0394

$250.9850

210

$8.7163

$1,830.4230

420

$8.3224

$3,495.4080

630

$7.5851

$4,778.6130

1050

$6.6054

$6,935.6700

image of Память>21187122
21187122
Тип 
21187122
Классификация
Память
Производитель
Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Описание 
8GB SLC BENAND
Упаковка
-
Упаковка
Поднос
Количество 
6710
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс63-VFBGA
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти8Gbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NAND (SLC)
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика63-TFBGA (9x11)
Время цикла записи — Word, Page25ns
Интерфейс памятиParallel
Время доступа20 ns
Организация памяти1G x 8
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0