Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | TC58BYG1S3HBAI6 |
|---|---|
| Классификация： | Память |
| Производитель： | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| Описание ： | IC FLASH 2GBIT |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Поднос |
| Количество ： | 13338 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$3.8481
$3.8481
10
$3.4946
$34.9460
25
$3.4138
$85.3450
40
$3.4037
$136.1480
80
$3.0502
$244.0160
338
$3.0401
$1,027.5538
676
$2.9290
$1,980.0040
1014
$2.7775
$2,816.3850
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
| Ряд | Benand™ |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 67-VFBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Объем памяти | 2Gbit |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 1.7V ~ 1.95V |
| Технологии | FLASH - NAND (SLC) |
| Формат памяти | FLASH |
| Пакет устройств поставщика | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Время цикла записи — Word, Page | 25ns |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Время доступа | 25 ns |
| Организация памяти | 256M x 8 |
| Программируемый DigiKey | Not Verified |
