Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | RN4990(TE85L,F) |
|---|---|
| Классификация： | Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | NPN + PNP BRT Q |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 13090 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.3333
$0.3333
10
$0.2323
$2.3230
100
$0.1212
$12.1200
500
$0.0909
$45.4500
1000
$0.0707
$70.7000
3000
$0.0606
$181.8000
6000
$0.0606
$363.6000
9000
$0.0505
$454.5000
30000
$0.0505
$1,515.0000
75000
$0.0404
$3,030.0000
150000
$0.0404
$6,060.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Мощность - Макс. | 200mW |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50V |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Частота – переход | 250MHz, 200MHz |
| Резистор — база (R1) | 4.7kOhms |
| Пакет устройств поставщика | US6 |
