Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | RN2908,LF(CT |
|---|---|
| Классификация： | Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | PNPX2 BRT Q1BSR |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 16000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.2626
$0.2626
10
$0.1818
$1.8180
100
$0.0909
$9.0900
500
$0.0707
$35.3500
1000
$0.0505
$50.5000
3000
$0.0404
$121.2000
6000
$0.0404
$242.4000
9000
$0.0303
$272.7000
30000
$0.0303
$909.0000
75000
$0.0303
$2,272.5000
150000
$0.0303
$4,545.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Мощность - Макс. | 200mW |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50V |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Частота – переход | 200MHz |
| Резистор — база (R1) | 22kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47kOhms |
| Пакет устройств поставщика | US6 |
