Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | RN2427TE85LF |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | TRANS PREBIAS P |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 20830 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4545
$0.4545
10
$0.3232
$3.2320
100
$0.1616
$16.1600
500
$0.1414
$70.7000
1000
$0.1111
$111.1000
3000
$0.1010
$303.0000
6000
$0.1010
$606.0000
9000
$0.0909
$818.1000
30000
$0.0808
$2,424.0000
75000
$0.0707
$5,302.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 50mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 90 @ 100mA, 1V |
| Пакет устройств поставщика | S-Mini |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 800 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V |
| Мощность - Макс. | 200 mW |
| Частота – переход | 200 MHz |
| Резистор — база (R1) | 2.2 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 kOhms |
