Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | RN2309,LF |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | TRANS PREBIAS P |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 19000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.1717
$0.1717
10
$0.1212
$1.2120
100
$0.0707
$7.0700
500
$0.0505
$25.2500
1000
$0.0404
$40.4000
3000
$0.0303
$90.9000
6000
$0.0303
$181.8000
9000
$0.0202
$181.8000
30000
$0.0202
$606.0000
75000
$0.0202
$1,515.0000
150000
$0.0202
$3,030.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | SC-70, SOT-323 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
| Пакет устройств поставщика | SC-70 |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V |
| Мощность - Макс. | 100 mW |
| Частота – переход | 200 MHz |
| Резистор — база (R1) | 47 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 22 kOhms |
