Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | RN2118MFV(TPL3) |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Производитель： | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Описание ： | TRANS PREBIAS P |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Разрезанная лента (CT) |
| Количество ： | 16000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.2727
$0.2727
10
$0.1919
$1.9190
100
$0.0909
$9.0900
500
$0.0808
$40.4000
1000
$0.0505
$50.5000
2000
$0.0505
$101.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | - |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | SOT-723 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Пакет устройств поставщика | VESM |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V |
| Мощность - Макс. | 150 mW |
| Резистор — база (R1) | 47 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 kOhms |
