Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>PDTA143EQCZ
  • image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>PDTA143EQCZ
Тип  PDTA143EQCZ
Классификация Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель Nexperia
Описание  TRANS PREBIAS P
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  18000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.2727
Параметры продукции : 18000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.2727

$0.2727

10

$0.1818

$1.8180

100

$0.0909

$9.0900

500

$0.0707

$35.3500

1000

$0.0505

$50.5000

2000

$0.0404

$80.8000

5000

$0.0404

$202.0000

10000

$0.0303

$303.0000

25000

$0.0303

$757.5000

50000

$0.0303

$1,515.0000

125000

$0.0303

$3,787.5000

image of Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением>16368600
16368600
Тип 
16368600
Классификация
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Производитель
Nexperia
Описание 
TRANS PREBIAS P
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
11500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNexperia
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс3-XDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Тип транзистораPNP - Pre-Biased
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Пакет устройств поставщикаDFN1412D-3
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100 mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50 V
Частота – переход180 MHz
Резистор — база (R1)4.7 kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)4.7 kOhms
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0