Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | PDTA114EQB-QZ |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением |
| Производитель： | Nexperia |
| Описание ： | TRANS PREBIAS P |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 18000 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.2828
$0.2828
10
$0.1919
$1.9190
100
$0.0909
$9.0900
500
$0.0808
$40.4000
1000
$0.0505
$50.5000
2000
$0.0505
$101.0000
5000
$0.0404
$202.0000
10000
$0.0404
$404.0000
25000
$0.0404
$1,010.0000
50000
$0.0303
$1,515.0000
125000
$0.0303
$3,787.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Nexperia |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 3-XDFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100nA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Пакет устройств поставщика | DFN1110D-3 |
| Оценка | Automotive |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V |
| Мощность - Макс. | 340 mW |
| Частота – переход | 180 MHz |
| Резистор — база (R1) | 10 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 kOhms |
| Квалификация | AEC-Q101 |
