Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>NHUMB10F
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>NHUMB10F
Тип  NHUMB10F
Классификация Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель Nexperia
Описание  TRANS PREBIAS 2
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  33000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.0505
Параметры продукции : 33000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.3838

$0.3838

10

$0.2626

$2.6260

100

$0.1313

$13.1300

500

$0.1111

$55.5500

1000

$0.0707

$70.7000

2000

$0.0606

$121.2000

5000

$0.0606

$303.0000

10000

$0.0505

$505.0000

30000

$0.0505

$1,515.0000

50000

$0.0404

$2,020.0000

100000

$0.0404

$4,040.0000

250000

$0.0404

$10,100.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>13160032
13160032
Тип 
13160032
Классификация
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Производитель
Nexperia
Описание 
TRANS PREBIAS 2
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
26500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительNexperia
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.350mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)80V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Частота – переход150MHz
Резистор — база (R1)2.2kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47kOhms
Пакет устройств поставщика6-TSSOP
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0