Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of JFET-транзисторы>MMBFJ175LT1G
  • image of JFET-транзисторы>MMBFJ175LT1G
Тип  MMBFJ175LT1G
Классификация JFET-транзисторы
Производитель Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание  JFET P-CH 30V S
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  24694
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.3636
Параметры продукции : 24694
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.3636

$0.3636

10

$0.2828

$2.8280

100

$0.1717

$17.1700

500

$0.1616

$80.8000

1000

$0.1111

$111.1000

3000

$0.1010

$303.0000

6000

$0.0909

$545.4000

9000

$0.0808

$727.2000

30000

$0.0808

$2,424.0000

75000

$0.0808

$6,060.0000

image of JFET-транзисторы>919588
919588
Тип 
919588
Классификация
JFET-транзисторы
Производитель
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание 
JFET P-CH 30V S
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
18194
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
PDF(6)
PDF(7)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистораP-Channel
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds11pF @ 10V (VGS)
Напряжение – пробоя (В(BR)GSS)30 V
Пакет устройств поставщикаSOT-23-3 (TO-236)
Мощность - Макс.225 mW
Сопротивление - RDS(Вкл.)125 Ohms
Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id3 V @ 10 nA
Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0)7 mA @ 15 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0