Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH26N50
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH26N50
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH26N50
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IXFH26N50
Тип  IXFH26N50
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Littelfuse / IXYS RF
Описание  MOSFET N-CH 500
Упаковка -
Упаковка Трубка
Количество  13000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $7.7366
Параметры продукции : 13000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

30

$7.7366

$232.0980

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>242015
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>242015
242015
Тип 
242015
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Littelfuse / IXYS RF
Описание 
MOSFET N-CH 500
Упаковка
-
Упаковка
Трубка
Количество 
6500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительLittelfuse / IXYS RF
РядHiPerFET™
УпаковкаТрубка
Статус продуктаNOT_FOR_NEW_DESIGNS
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C26A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs200mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)300W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 4mA
Пакет устройств поставщикаTO-247AD (IXFH)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)500 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs160 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4200 pF @ 25 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0