Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>IMX1T110
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>IMX1T110
Тип  IMX1T110
Классификация Биполярные транзисторные матрицы
Производитель ROHM Semiconductor
Описание  TRANS 2NPN 50V
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  43326
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.4242
Параметры продукции : 43326
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.4242

$0.4242

10

$0.3030

$3.0300

100

$0.1515

$15.1500

500

$0.1313

$65.6500

1000

$0.1010

$101.0000

3000

$0.0909

$272.7000

6000

$0.0909

$545.4000

9000

$0.0808

$727.2000

30000

$0.0808

$2,424.0000

75000

$0.0707

$5,302.5000

150000

$0.0606

$9,090.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы>650556
650556
Тип 
650556
Классификация
Биполярные транзисторные матрицы
Производитель
ROHM Semiconductor
Описание 
TRANS 2NPN 50V
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
36826
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
PDF(6)
PDF(7)
PDF(8)
PDF(9)
PDF(10)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-74, SOT-457
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 NPN (Dual)
Рабочая Температура150°C (TJ)
Мощность - Макс.300mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)150mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Частота – переход180MHz
Пакет устройств поставщикаSMT6
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0