Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | ICE30N60W |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | IceMOS Technology |
| Описание ： | Superjunction M |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13090 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
30
$7.9184
$237.5520
150
$7.4235
$1,113.5250
600
$6.7872
$4,072.3200
2100
$6.2519
$13,128.9900
6000
$5.7974
$34,784.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IceMOS Technology |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 30A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 15A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 171W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3.9V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 600 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 189 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 6090 pF @ 25 V |
