Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | GD60MPS06H |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные диоды |
| Производитель： | GeneSiC Semiconductor |
| Описание ： | DIODE SIL CARB |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 14356 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$10.4333
$10.4333
10
$9.3829
$93.8290
25
$8.9991
$224.9775
100
$8.4537
$845.3700
250
$8.1002
$2,025.0500
500
$7.8477
$3,923.8500
1000
$7.6053
$7,605.3000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Ряд | SiC Schottky MPS™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-2 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 ns |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Емкость @ Вр, Ф | 1463pF @ 1V, 1MHz |
| Ток – средний выпрямленный (Io) | 82A |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-2 |
| Рабочая температура - соединение | -55°C ~ 175°C |
| Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 650 V |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1.8 V @ 60 A |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 10 µA @ 650 V |
