Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G7P03S
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G7P03S
Тип  G7P03S
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Goford Semiconductor
Описание  P30V,RD(MAX)<22
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  16626
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.4040
Параметры продукции : 16626
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.4040

$0.4040

10

$0.3434

$3.4340

100

$0.2424

$24.2400

500

$0.1818

$90.9000

1000

$0.1515

$151.5000

2000

$0.1313

$262.6000

4000

$0.1313

$525.2000

8000

$0.1313

$1,050.4000

12000

$0.1212

$1,454.4000

28000

$0.1212

$3,393.6000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>16533494
16533494
Тип 
16533494
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание 
P30V,RD(MAX)<22
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
10126
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C9A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs22mOhm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2.7W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24.5 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1253 pF @ 15 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0