Тип : | G7P03S |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | Goford Semiconductor |
Описание : | P30V,RD(MAX)<22 |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 16626 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4040
$0.4040
10
$0.3434
$3.4340
100
$0.2424
$24.2400
500
$0.1818
$90.9000
1000
$0.1515
$151.5000
2000
$0.1313
$262.6000
4000
$0.1313
$525.2000
8000
$0.1313
$1,050.4000
12000
$0.1212
$1,454.4000
28000
$0.1212
$3,393.6000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Goford Semiconductor |
Ряд | TrenchFET® |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | P-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 9A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 3A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 24.5 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1253 pF @ 15 V |