Тип : | G60N04K |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | Goford Semiconductor |
Описание : | N40V,RD(MAX)<7M |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 15432 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.7272
$0.7272
10
$0.6262
$6.2620
100
$0.4343
$43.4300
500
$0.3636
$181.8000
1000
$0.3131
$313.1000
2500
$0.2727
$681.7500
5000
$0.2626
$1,313.0000
12500
$0.2424
$3,030.0000
25000
$0.2424
$6,060.0000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Goford Semiconductor |
Ряд | TrenchFET® |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 60A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 65W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | TO-252 (DPAK) |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1800 pF @ 20 V |