Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | G3R75MT12K |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | GeneSiC Semiconductor |
| Описание ： | SIC MOSFET N-CH |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 13706 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$10.8777
$10.8777
10
$9.8071
$98.0710
25
$9.4031
$235.0775
100
$8.8375
$883.7500
250
$8.4739
$2,118.4750
500
$8.2214
$4,110.7000
1000
$7.9689
$7,968.9000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Ряд | G3R™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-4 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 41A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 207W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.69V @ 7.5mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-4 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 15V |
| ВГС (Макс) | +22V, -10V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 54 nC @ 15 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1560 pF @ 800 V |
