Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | G3R40MT12D |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | GeneSiC Semiconductor |
| Описание ： | SIC MOSFET N-CH |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Трубка |
| Количество ： | 14732 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$17.5942
$17.5942
10
$16.0590
$160.5900
25
$15.4833
$387.0825
100
$14.6652
$1,466.5200
250
$14.1400
$3,535.0000
500
$13.7562
$6,878.1000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Ряд | G3R™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-247-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 71A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 35A, 15V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 333W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.69V @ 10mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 15V |
| ВГС (Макс) | ±15V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 106 nC @ 15 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2929 pF @ 800 V |
