Тип : | G160N04K |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | Goford Semiconductor |
Описание : | N40V, 25A,RD<15 |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 17821 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4949
$0.4949
10
$0.4242
$4.2420
100
$0.2929
$29.2900
500
$0.2323
$116.1500
1000
$0.1818
$181.8000
2500
$0.1616
$404.0000
5000
$0.1616
$808.0000
12500
$0.1414
$1,767.5000
25000
$0.1414
$3,535.0000
62500
$0.1414
$8,837.5000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Goford Semiconductor |
Ряд | TrenchFET® |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 25A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 8A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 43W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | TO-252 |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1010 pF @ 20 V |