Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | G10N10A |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | Goford Semiconductor |
| Описание ： | N100V,RD(MAX)13 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 17794 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.5858
$0.5858
10
$0.4949
$4.9490
100
$0.3434
$34.3400
500
$0.2727
$136.3500
1000
$0.2222
$222.2000
2500
$0.1919
$479.7500
5000
$0.1818
$909.0000
12500
$0.1717
$2,146.2500
25000
$0.1717
$4,292.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | TrenchFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 28W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 690 pF @ 25 V |
