Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | G06NP06S2 |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | Goford Semiconductor |
| Описание ： | MOSFET N/P-CH 6 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 24960 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.8383
$0.8383
10
$0.7272
$7.2720
100
$0.5050
$50.5000
500
$0.4242
$212.1000
1000
$0.3636
$363.6000
2000
$0.3232
$646.4000
4000
$0.3232
$1,292.8000
8000
$0.3030
$2,424.0000
12000
$0.2828
$3,393.6000
28000
$0.2828
$7,918.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Ряд | TrenchFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOP |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | N and P-Channel |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2W (Tc), 2.5W (Tc) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6A (Tc) |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 22nC @ 10V, 25nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
