Тип : | G06N06S |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | Goford Semiconductor |
Описание : | N60V,RD(MAX)<22 |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 19142 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.5959
$0.5959
10
$0.5151
$5.1510
100
$0.3535
$35.3500
500
$0.2929
$146.4500
1000
$0.2525
$252.5000
2000
$0.2222
$444.4000
4000
$0.2222
$888.8000
8000
$0.2121
$1,696.8000
12000
$0.2020
$2,424.0000
28000
$0.1919
$5,373.2000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Goford Semiconductor |
Ряд | TrenchFET® |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1600 pF @ 30 V |