Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G06N06S
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G06N06S
Тип  G06N06S
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Goford Semiconductor
Описание  N60V,RD(MAX)<22
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  19142
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.2222
Параметры продукции : 19142
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.5959

$0.5959

10

$0.5151

$5.1510

100

$0.3535

$35.3500

500

$0.2929

$146.4500

1000

$0.2525

$252.5000

2000

$0.2222

$444.4000

4000

$0.2222

$888.8000

8000

$0.2121

$1,696.8000

12000

$0.2020

$2,424.0000

28000

$0.1919

$5,373.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>16499564
16499564
Тип 
16499564
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание 
N60V,RD(MAX)<22
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
12642
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs22mOhm @ 6A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2.1W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)60 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs46 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1600 pF @ 30 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0