Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G01N20LE
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>G01N20LE
Тип  G01N20LE
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Goford Semiconductor
Описание  N200V,RD(MAX)<8
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  13826
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.4141
Параметры продукции : 13826
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.4141

$0.4141

10

$0.3232

$3.2320

100

$0.1919

$19.1900

500

$0.1818

$90.9000

1000

$0.1212

$121.2000

3000

$0.1111

$333.3000

6000

$0.1111

$666.6000

9000

$0.1010

$909.0000

30000

$0.0909

$2,727.0000

75000

$0.0909

$6,817.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>15929418
15929418
Тип 
15929418
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание 
N200V,RD(MAX)<8
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
7326
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C1.7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs700mOhm @ 1A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1.5W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs12 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds580 pF @ 25 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0