Тип : | G01N20LE |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | Goford Semiconductor |
Описание : | N200V,RD(MAX)<8 |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 13826 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.4141
$0.4141
10
$0.3232
$3.2320
100
$0.1919
$19.1900
500
$0.1818
$90.9000
1000
$0.1212
$121.2000
3000
$0.1111
$333.3000
6000
$0.1111
$666.6000
9000
$0.1010
$909.0000
30000
$0.0909
$2,727.0000
75000
$0.0909
$6,817.5000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Goford Semiconductor |
Ряд | TrenchFET® |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 1.7A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 1A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.5W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 200 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 580 pF @ 25 V |