Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2619
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>EPC2619
Тип  EPC2619
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель EPC
Описание  TRANS GAN 100V
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  20026
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $1.7069
Параметры продукции : 20026
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$3.5148

$3.5148

10

$2.9492

$29.4920

100

$2.3836

$238.3600

500

$2.1210

$1,060.5000

1000

$1.8180

$1,818.0000

2500

$1.7069

$4,267.2500

5000

$1.6463

$8,231.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>21529266
21529266
Тип 
21529266
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
EPC
Описание 
TRANS GAN 100V
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
13526
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительEPC
РядeGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсDie
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C29A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 5.5mA
Пакет устройств поставщикаDie
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)5V
ВГС (Макс)+6V, -4V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8.3 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1180 pF @ 50 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0