Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | EPC2107 |
|---|---|
| Классификация： | Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов |
| Производитель： | EPC |
| Описание ： | GANFET 3 N-CH 1 |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 18402 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$1.4342
$1.4342
10
$1.1918
$11.9180
100
$0.9494
$94.9400
500
$0.8585
$429.2500
2500
$0.8585
$2,146.2500
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 9-VFBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 1.7A, 500mA |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| Пакет устройств поставщика | 9-BGA (1.35x1.35) |
