Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | EPC2021 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | EPC |
| Описание ： | GANFET N-CH 80V |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Лента и катушка (TR) |
| Количество ： | 19776 |
| Состояние RoHS： | 1 |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$9.0799
$9.0799
10
$7.7871
$77.8710
100
$6.4842
$648.4200
500
$5.7267
$2,863.3500
1000
$5.1510
$5,151.0000
2000
$4.8278
$9,655.6000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | EPC |
| Ряд | eGaN® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | Die |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 90A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 29A, 5V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 14mA |
| Пакет устройств поставщика | Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V |
| ВГС (Макс) | +6V, -4V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1650 pF @ 40 V |
