Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>EMX18T2R
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>EMX18T2R
Тип  EMX18T2R
Классификация Биполярные транзисторные матрицы
Производитель ROHM Semiconductor
Описание  TRANS 2NPN 12V
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  19295
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.1818
Параметры продукции : 19295
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.5656

$0.5656

10

$0.4848

$4.8480

100

$0.3333

$33.3300

500

$0.2626

$131.3000

1000

$0.2121

$212.1000

2000

$0.1919

$383.8000

8000

$0.1818

$1,454.4000

16000

$0.1717

$2,747.2000

24000

$0.1616

$3,878.4000

56000

$0.1616

$9,049.6000

image of Биполярные транзисторные матрицы>659000
659000
Тип 
659000
Классификация
Биполярные транзисторные матрицы
Производитель
ROHM Semiconductor
Описание 
TRANS 2NPN 12V
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
12795
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
PDF(6)
PDF(7)
PDF(8)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-563, SOT-666
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 NPN (Dual)
Рабочая Температура150°C (TJ)
Мощность - Макс.150mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)500mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)12V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 200mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce270 @ 10mA, 2V
Частота – переход320MHz
Пакет устройств поставщикаEMT6
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0