Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>DMTH10H4M5LPSW
Тип  DMTH10H4M5LPSW
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание  MOSFET BVDSS: 6
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  15500
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.8282
Параметры продукции : 15500
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$1.9695

$1.9695

10

$1.6362

$16.3620

100

$1.3029

$130.2900

500

$1.1009

$550.4500

1000

$0.9292

$929.2000

2500

$0.8282

$2,070.5000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>17840240
17840240
Тип 
17840240
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Описание 
MOSFET BVDSS: 6
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
9000
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительZetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Ta), 107A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerDI5060-8 (Type UX)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs80 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4843 pF @ 50 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0