Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
  • image of Память>BY25Q40BSTIG(R)
Тип  BY25Q40BSTIG(R)
Классификация Память
Производитель BYTe Semiconductor
Описание  4 MBIT, 3.0V (2
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  17000
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.1414
Параметры продукции : 17000
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.4949

$0.4949

10

$0.4040

$4.0400

25

$0.3636

$9.0900

100

$0.2727

$27.2700

250

$0.2525

$63.1250

500

$0.2020

$101.0000

1000

$0.1515

$151.5000

4000

$0.1414

$565.6000

8000

$0.1313

$1,050.4000

12000

$0.1212

$1,454.4000

28000

$0.1111

$3,110.8000

image of Память>22155801
22155801
Тип 
22155801
Классификация
Память
Производитель
BYTe Semiconductor
Описание 
4 MBIT, 3.0V (2
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
10500
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительBYTe Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Объем памяти4Mbit
Тип памятиNon-Volatile
Рабочая Температура-40°C ~ 85°C (TA)
Напряжение питания2.7V ~ 3.6V
ТехнологииFLASH - NOR (SLC)
Тактовая частота108 MHz
Формат памятиFLASH
Пакет устройств поставщика8-SOP
Время цикла записи — Word, Page50µs, 2.4ms
Интерфейс памятиSPI - Quad I/O, QPI
Время доступа7 ns
Организация памяти512K x 8
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0