Язык:ru 
- zh-cn
- en
- ru
- fr
Element(Hong Kong ) Technology
| Тип ： | BUK7E3R5-60E,127 |
|---|---|
| Классификация： | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
| Производитель： | NXP Semiconductors |
| Описание ： | TRANSISTOR >30M |
| Упаковка： | - |
| Упаковка： | Масса |
| Количество ： | 13710 |
| Состояние RoHS： | |
|
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
316
$0.9595
$303.2020
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | TrenchMOS™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 120A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 25A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 293W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 1mA |
| Пакет устройств поставщика | I2PAK |
| Оценка | Automotive |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 8920 pF @ 25 V |
| Квалификация | AEC-Q101 |
