Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817DS-25_R1_00001
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>BC817DS-25_R1_00001
Тип  BC817DS-25_R1_00001
Классификация Биполярные транзисторные матрицы
Производитель PANJIT
Описание  DUAL NPN GENERA
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  14804
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.3434
Параметры продукции : 14804
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.3434

$0.3434

10

$0.2424

$2.4240

100

$0.1212

$12.1200

500

$0.1010

$50.5000

1000

$0.0707

$70.7000

3000

$0.0606

$181.8000

6000

$0.0505

$303.0000

9000

$0.0404

$363.6000

30000

$0.0404

$1,212.0000

75000

$0.0404

$3,030.0000

150000

$0.0303

$4,545.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы>15798736
15798736
Тип 
15798736
Классификация
Биполярные транзисторные матрицы
Производитель
PANJIT
Описание 
DUAL NPN GENERA
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
8304
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительPANJIT
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-23-6
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 NPN (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Макс.330mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)500mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)45V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)100nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
Частота – переход100MHz
Пакет устройств поставщикаSOT-23-6
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0