Тип : | 4435 |
---|---|
Классификация: | Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы |
Производитель: | Goford Semiconductor |
Описание : | P30V,RD(MAX)<20 |
Упаковка: | - |
Упаковка: | Лента и катушка (TR) |
Количество : | 16765 |
Состояние RoHS: | 1 |
Параметры продукции
|
Количество
Цены
Цены
1
$0.5353
$0.5353
10
$0.4545
$4.5450
100
$0.3232
$32.3200
500
$0.2525
$126.2500
1000
$0.2020
$202.0000
2000
$0.1818
$363.6000
4000
$0.1818
$727.2000
8000
$0.1717
$1,373.6000
12000
$0.1616
$1,939.2000
28000
$0.1515
$4,242.0000
ТИП | ОПИСАНИЕ |
Производитель | Goford Semiconductor |
Ряд | TrenchFET® |
Упаковка | Лента и катушка (TR) |
Статус продукта | ACTIVE |
Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Тип полевого транзистора | P-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Пакет устройств поставщика | 8-SOP |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2270 pF @ 15 V |