Язык:ru
  • zh-cn
  • en
  • ru
  • fr

Element(Hong Kong ) Technology

Подробности продукции
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>4435
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>4435
Тип  4435
Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель Goford Semiconductor
Описание  P30V,RD(MAX)<20
Упаковка -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Количество  16765
Состояние RoHS 1
Параметры продукции 
Цены : $0.5353
Параметры продукции : 16765
Всего 

Количество 

Цены 

Цены

1

$0.5353

$0.5353

10

$0.4545

$4.5450

100

$0.3232

$32.3200

500

$0.2525

$126.2500

1000

$0.2020

$202.0000

2000

$0.1818

$363.6000

4000

$0.1818

$727.2000

8000

$0.1717

$1,373.6000

12000

$0.1616

$1,939.2000

28000

$0.1515

$4,242.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>16499565
16499565
Тип 
16499565
Классификация
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание 
P30V,RD(MAX)<20
Упаковка
-
Упаковка
Лента и катушка (TR)
Количество 
10265
lang_roHSStatusStatus
1
Параметры продукции
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGoford Semiconductor
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C11A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs20mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)2.5W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)30 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs40 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2270 pF @ 15 V
captcha

Время обслуживания: с понедельника по субботу 9: 00 - 18: 00 
Пожалуйста, выберите онлайн - сервис:
+86-15869849588
0